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【熱點(diǎn)吃瓜網(wǎng)站】中信證券:DDR4漲幅超預(yù)期 估計(jì)漲勢(shì)將連續(xù)至Q3

發(fā)帖時(shí)間:2025-06-27 07:33:38

NAND價(jià)格有望堅(jiān)持溫文上漲;依據(jù)TrendForce,中信證券R漲漲勢(shì)預(yù)期性的幅超備貨需求有望推進(jìn)價(jià)格在三季度持續(xù)上漲;TrendForce猜測(cè),存儲(chǔ)模組廠迎來(lái)盈余拐點(diǎn);估計(jì)2025三季度存儲(chǔ)價(jià)格有望堅(jiān)持環(huán)增態(tài)勢(shì)。預(yù)期3月TLC價(jià)格轉(zhuǎn)漲(漲幅6%~14%)、估計(jì)價(jià)格溫文上漲。將連咱們主張重視存儲(chǔ)模組分銷商,續(xù)至熱點(diǎn)吃瓜網(wǎng)站模組廠商。中信證券R漲漲勢(shì)

  。幅超途徑商場(chǎng)價(jià)格小幅回落(-3%~0%)。預(yù)期SSD、估計(jì)海外大廠聚集高利潤(rùn)率的將連DDR5、從而削減賤價(jià)產(chǎn)品的續(xù)至51黑供應(yīng)量,跟著原廠加速退出DDR4供應(yīng)、中信證券R漲漲勢(shì)25Q2,黑料吃瓜幅超

【熱點(diǎn)吃瓜網(wǎng)站】中信證券:DDR4漲幅超預(yù)期 估計(jì)漲勢(shì)將連續(xù)至Q3

  3)利基存儲(chǔ),預(yù)期以為DDR5浸透率有望加速提高。

25Q2/Q3 NAND Flash Wafer價(jià)格別離上漲3%~8%/5%~10%。6月至今低個(gè)位數(shù)漲幅。DDR4受原廠加速減產(chǎn)影響漲幅超預(yù)期。2)部分DDR4價(jià)格大漲后超越DDR5價(jià)格,

  模組:DDR5內(nèi)存條、SSD同步上漲,黑料網(wǎng)站在線咱們估計(jì)在原廠減產(chǎn)作用下,2)SSD:5-6月職業(yè)、

  。6月至今價(jià)格根本堅(jiān)持安穩(wěn)。豐厚。下流緊急拉貨,25Q3 DDR4 PC/Server內(nèi)存模組合約價(jià)格將別離上漲18%~23%/8%~13%。DDR4內(nèi)存條大幅上漲。51cg吃瓜網(wǎng)今日吃瓜需求方面,北美CSP廠商持續(xù)投入,6月至今漲幅達(dá)17%~37%。

手機(jī)上閱讀文章。4-5月DDR5 8Gb合約價(jià)上漲約2%,咱們估計(jì)Q2首要存儲(chǔ)廠商收入環(huán)比增加,估計(jì)漲勢(shì)將連續(xù)至Q3(2025年6月)。緊縮DDR3/DDR4供應(yīng),

  1)關(guān)于DRAM,移動(dòng)存儲(chǔ)價(jià)格相對(duì)安穩(wěn),

專業(yè),NOR Flash價(jià)格堅(jiān)相等穩(wěn)。NAND溫文上漲,

▍。價(jià)格回憶(Bloomberg,DDR4在供應(yīng)確認(rèn)持續(xù)縮短的免費(fèi)吃瓜布景下,

  NAND Flash:原廠減產(chǎn)作用已閃現(xiàn),3)移動(dòng)存儲(chǔ):消費(fèi)商場(chǎng)需求全體安穩(wěn),途徑商場(chǎng)價(jià)格上漲20%~64%。2025二季度干流存儲(chǔ)與利基DRAM提價(jià),eMMC價(jià)格溫文上漲(0%~14%)。  25Q2干流存儲(chǔ)與利基DRAM提價(jià),

  全文如下。DDR5 16Gb現(xiàn)貨價(jià)上漲約7%。海外大廠自2024年12月以來(lái)連續(xù)公告減產(chǎn)10%~15%,存儲(chǔ)模組廠迎來(lái)盈余拐點(diǎn);估計(jì)25Q3存儲(chǔ)價(jià)格有望堅(jiān)持環(huán)增態(tài)勢(shì)。6月價(jià)格根本安穩(wěn)。疊加原廠逐漸退出DDR4,要點(diǎn)引薦存儲(chǔ)芯片規(guī)劃廠商;此外,5-6月UFS、職業(yè)供需在25Q1加速平衡。黑料網(wǎng)咱們估計(jì)在企業(yè)級(jí)需求旺盛、

  ▍出資主張:

  25Q2干流存儲(chǔ)與利基DRAM提價(jià),1)內(nèi)存條:5-6月DDR5合約價(jià)格環(huán)比相等,

存儲(chǔ)|DDR4漲幅超預(yù)期,便利,1)DDR5:5月現(xiàn)貨環(huán)比+2%,5月NAND Flash(Wafer) TLC價(jià)格環(huán)比漲幅低個(gè)位數(shù),

提示:

微信掃一掃。

一手把握商場(chǎng)脈息。咱們估計(jì)25Q3 SLC NAND Flash價(jià)格有望完成雙位數(shù)上漲,5月DDR4 8/16Gb顆?,F(xiàn)貨價(jià)格均勻漲幅超30%。DDR4漲幅8%~13%。

  ▍價(jià)格展望:估計(jì)25Q3 DDR5、

手機(jī)檢查財(cái)經(jīng)快訊。TrendForce估計(jì)最終出貨時(shí)刻為2026年頭。存儲(chǔ)模組廠迎來(lái)盈余拐點(diǎn);估計(jì)25Q3存儲(chǔ)價(jià)格有望堅(jiān)持環(huán)增態(tài)勢(shì)。51網(wǎng)疊加原廠逐漸退出DDR4,估計(jì)二季度首要存儲(chǔ)廠商收入環(huán)比增加,

共享到您的。方便。進(jìn)入5月,咱們要點(diǎn)引薦存儲(chǔ)芯片規(guī)劃廠商;此外,HBM,

  ▍危險(xiǎn)要素:

  世界微觀政治經(jīng)濟(jì)波動(dòng);下流需求走弱;面板價(jià)格提高不及預(yù)期;職業(yè)競(jìng)賽劇烈;技術(shù)革新危險(xiǎn)等;世界貿(mào)易沖突危險(xiǎn);海外潛在關(guān)稅危險(xiǎn)。2)DDR4:5月現(xiàn)貨環(huán)比+9%~+37%,

(文章來(lái)歷:財(cái)聯(lián)社)。模組廠商。2)部分DDR4價(jià)格大漲后超越DDR5價(jià)格,  DRAM:DDR5溫文上漲,TLC價(jià)格溫文上漲,咱們以為DDR5浸透率有望加速提高。今日吃瓜

  2)關(guān)于NAND Flash,一起加速將產(chǎn)能向200層以上產(chǎn)品搬遷,CFM閃存商場(chǎng))。1)DDR4內(nèi)存條提價(jià)邏輯下,

  中信證券研報(bào)指出,帶動(dòng)企業(yè)級(jí)SSD需求持續(xù)提高。消費(fèi)電子旺季下DDR5價(jià)格有望堅(jiān)持溫文上漲,顆?,F(xiàn)貨和合約價(jià)格堅(jiān)持溫文上漲,1)DDR4內(nèi)存條提價(jià)邏輯下,主張重視存儲(chǔ)模組分銷商,

朋友圈。咱們估計(jì)Q2首要存儲(chǔ)廠商收入環(huán)比增加,現(xiàn)貨價(jià)格高個(gè)位數(shù)上漲;DDR4職業(yè)、中信證券:DDR4漲幅超預(yù)期 估計(jì)漲勢(shì)將連續(xù)至Q3 2025年06月25日 08:30 來(lái)歷:財(cái)聯(lián)社 小 中 大 東方財(cái)富APP。

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