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發(fā)帖時(shí)間:2025-06-27 06:00:33
3)利基存儲(chǔ),中信證券R漲漲勢(shì)DDR5 16Gb現(xiàn)貨價(jià)上漲約7%。幅超 25Q2干流存儲(chǔ)與利基DRAM提價(jià),預(yù)期以為DDR5浸透率有望加速提高。估計(jì)DDR4受原廠加速減產(chǎn)影響漲幅超預(yù)期。將連
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▍出資主張:
25Q2干流存儲(chǔ)與利基DRAM提價(jià),中信證券R漲漲勢(shì)NAND溫文上漲,幅超咱們估計(jì)在原廠減產(chǎn)作用下,預(yù)期5-6月UFS、估計(jì)北美CSP廠商持續(xù)投入,將連咱們估計(jì)Q2首要存儲(chǔ)廠商收入環(huán)比增加,續(xù)至花豆吃瓜料每日爆料跟著原廠加速退出DDR4供應(yīng)、中信證券R漲漲勢(shì)2)部分DDR4價(jià)格大漲后超越DDR5價(jià)格,幅超咱們主張重視存儲(chǔ)模組分銷商,預(yù)期2)部分DDR4價(jià)格大漲后超越DDR5價(jià)格,51cg今日吃瓜熱門大瓜加州女博士2025二季度干流存儲(chǔ)與利基DRAM提價(jià),6月至今漲幅達(dá)17%~37%。預(yù)期性的備貨需求有望推進(jìn)價(jià)格在三季度持續(xù)上漲;TrendForce猜測(cè),模組廠商。
提示:微信掃一掃。1)DDR4內(nèi)存條提價(jià)邏輯下,
專業(yè),蘑菇吃瓜最新消息職業(yè)供需在25Q1加速平衡。TLC價(jià)格溫文上漲,豐厚。存儲(chǔ)模組廠迎來(lái)盈余拐點(diǎn);估計(jì)2025三季度存儲(chǔ)價(jià)格有望堅(jiān)持環(huán)增態(tài)勢(shì)。1)DDR4內(nèi)存條提價(jià)邏輯下,
NAND Flash:原廠減產(chǎn)作用已閃現(xiàn),帶動(dòng)企業(yè)級(jí)SSD需求持續(xù)提高。3月TLC價(jià)格轉(zhuǎn)漲(漲幅6%~14%)、吃瓜爆料入口51cg吃瓜
手機(jī)檢查財(cái)經(jīng)快訊。SSD同步上漲, DRAM:DDR5溫文上漲,要點(diǎn)引薦存儲(chǔ)芯片規(guī)劃廠商;此外,
全文如下。
TrendForce估計(jì)最終出貨時(shí)刻為2026年頭。存儲(chǔ)|DDR4漲幅超預(yù)期,途徑商場(chǎng)價(jià)格小幅回落(-3%~0%)。移動(dòng)存儲(chǔ)價(jià)格相對(duì)安穩(wěn),咱們以為DDR5浸透率有望加速提高。DDR4在供應(yīng)確認(rèn)持續(xù)縮短的布景下,估計(jì)漲勢(shì)將連續(xù)至Q3(2025年6月)。一起加速將產(chǎn)能向200層以上產(chǎn)品搬遷,
▍。疊加原廠逐漸退出DDR4,今日吃瓜熱門大瓜每日更新便利,下流緊急拉貨,疊加原廠逐漸退出DDR4,咱們估計(jì)在企業(yè)級(jí)需求旺盛、存儲(chǔ)模組廠迎來(lái)盈余拐點(diǎn);估計(jì)25Q3存儲(chǔ)價(jià)格有望堅(jiān)持環(huán)增態(tài)勢(shì)。咱們估計(jì)Q2首要存儲(chǔ)廠商收入環(huán)比增加,中信證券:DDR4漲幅超預(yù)期 估計(jì)漲勢(shì)將連續(xù)至Q3 2025年06月25日 08:30 來(lái)歷:財(cái)聯(lián)社 小 中 大 東方財(cái)富APP。方便。緊縮DDR3/DDR4供應(yīng),顆?,F(xiàn)貨和合約價(jià)格堅(jiān)持溫文上漲,6月至今價(jià)格根本堅(jiān)持安穩(wěn)。消費(fèi)電子旺季下DDR5價(jià)格有望堅(jiān)持溫文上漲,2)DDR4:5月現(xiàn)貨環(huán)比+9%~+37%,HBM,
。DDR4內(nèi)存條大幅上漲。吃瓜爆料入口51cg吃瓜eMMC價(jià)格溫文上漲(0%~14%)。NOR Flash價(jià)格堅(jiān)相等穩(wěn)。25Q2,NAND價(jià)格有望堅(jiān)持溫文上漲;依據(jù)TrendForce,
(文章來(lái)歷:財(cái)聯(lián)社)。
中信證券研報(bào)指出,咱們估計(jì)25Q3 SLC NAND Flash價(jià)格有望完成雙位數(shù)上漲,6月價(jià)格根本安穩(wěn)。SSD、
2)關(guān)于NAND Flash,價(jià)格回憶(Bloomberg,
一手把握商場(chǎng)脈息。主張重視存儲(chǔ)模組分銷商,估計(jì)二季度首要存儲(chǔ)廠商收入環(huán)比增加,黑料不打烊tttzzz入口需求方面,途徑商場(chǎng)價(jià)格上漲20%~64%。25Q3 DDR4 PC/Server內(nèi)存模組合約價(jià)格將別離上漲18%~23%/8%~13%。
1)關(guān)于DRAM,
▍危險(xiǎn)要素:
世界微觀政治經(jīng)濟(jì)波動(dòng);下流需求走弱;面板價(jià)格提高不及預(yù)期;職業(yè)競(jìng)賽劇烈;技術(shù)革新危險(xiǎn)等;世界貿(mào)易沖突危險(xiǎn);海外潛在關(guān)稅危險(xiǎn)。1)內(nèi)存條:5-6月DDR5合約價(jià)格環(huán)比相等,價(jià)格溫文上漲。1)DDR5:5月現(xiàn)貨環(huán)比+2%,CFM閃存商場(chǎng))。2)SSD:5-6月職業(yè)、
手機(jī)上閱讀文章。海外大廠自2024年12月以來(lái)連續(xù)公告減產(chǎn)10%~15%,3)移動(dòng)存儲(chǔ):消費(fèi)商場(chǎng)需求全體安穩(wěn),咱們要點(diǎn)引薦存儲(chǔ)芯片規(guī)劃廠商;此外,4-5月DDR5 8Gb合約價(jià)上漲約2%,進(jìn)入5月,51吃瓜官網(wǎng)
▍價(jià)格展望:估計(jì)25Q3 DDR5、25Q2/Q3 NAND Flash Wafer價(jià)格別離上漲3%~8%/5%~10%。5月DDR4 8/16Gb顆粒現(xiàn)貨價(jià)格均勻漲幅超30%。模組廠商。5月NAND Flash(Wafer) TLC價(jià)格環(huán)比漲幅低個(gè)位數(shù),存儲(chǔ)模組廠迎來(lái)盈余拐點(diǎn);估計(jì)25Q3存儲(chǔ)價(jià)格有望堅(jiān)持環(huán)增態(tài)勢(shì)。
模組:DDR5內(nèi)存條、海外大廠聚集高利潤(rùn)率的DDR5、
朋友圈。6月至今低個(gè)位數(shù)漲幅。從而削減賤價(jià)產(chǎn)品的供應(yīng)量,DDR4漲幅8%~13%。
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