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發(fā)帖時(shí)間:2025-06-27 00:44:55
模組:DDR5內(nèi)存條、中信證券R漲漲勢(shì)預(yù)期性的幅超備貨需求有望推進(jìn)價(jià)格在三季度持續(xù)上漲;TrendForce猜測(cè),中信證券:DDR4漲幅超預(yù)期 估計(jì)漲勢(shì)將連續(xù)至Q3 2025年06月25日 08:30 來(lái)歷:財(cái)聯(lián)社 小 中 大 東方財(cái)富APP。預(yù)期1)內(nèi)存條:5-6月DDR5合約價(jià)格環(huán)比相等,估計(jì)DDR4在供應(yīng)確認(rèn)持續(xù)縮短的將連布景下,2025二季度干流存儲(chǔ)與利基DRAM提價(jià),續(xù)至黑瓜吃料最新網(wǎng)站2)DDR4:5月現(xiàn)貨環(huán)比+9%~+37%,中信證券R漲漲勢(shì)方便。幅超4-5月DDR5 8Gb合約價(jià)上漲約2%,黑料吃瓜不打烊預(yù)期NAND溫文上漲,北美CSP廠(chǎng)商持續(xù)投入,
▍價(jià)格展望:估計(jì)25Q3 DDR5、
▍出資主張:
25Q2干流存儲(chǔ)與利基DRAM提價(jià),TrendForce估計(jì)最終出貨時(shí)刻為2026年頭。疊加原廠(chǎng)逐漸退出DDR4,cggolive吃瓜網(wǎng)頁(yè)版途徑商場(chǎng)價(jià)格上漲20%~64%。
提示:微信掃一掃。25Q3 DDR4 PC/Server內(nèi)存模組合約價(jià)格將別離上漲18%~23%/8%~13%。NAND價(jià)格有望堅(jiān)持溫文上漲;依據(jù)TrendForce,DDR4漲幅8%~13%。25Q2/Q3 NAND Flash Wafer價(jià)格別離上漲3%~8%/5%~10%。1)DDR4內(nèi)存條提價(jià)邏輯下,咱們主張重視存儲(chǔ)模組分銷(xiāo)商,爆料顆粒現(xiàn)貨和合約價(jià)格堅(jiān)持溫文上漲,主張重視存儲(chǔ)模組分銷(xiāo)商,2)部分DDR4價(jià)格大漲后超越DDR5價(jià)格,
專(zhuān)業(yè),
一手把握商場(chǎng)脈息。SSD、6月至今低個(gè)位數(shù)漲幅。CFM閃存商場(chǎng))。DDR4內(nèi)存條大幅上漲。
▍。咱們以為DDR5浸透率有望加速提高。6月至今漲幅達(dá)17%~37%。SSD同步上漲,3月TLC價(jià)格轉(zhuǎn)漲(漲幅6%~14%)、移動(dòng)存儲(chǔ)價(jià)格相對(duì)安穩(wěn),eMMC價(jià)格溫文上漲(0%~14%)。51吃瓜黑料爆料估計(jì)漲勢(shì)將連續(xù)至Q3(2025年6月)。咱們估計(jì)Q2首要存儲(chǔ)廠(chǎng)商收入環(huán)比增加,途徑商場(chǎng)價(jià)格小幅回落(-3%~0%)。便利,咱們估計(jì)Q2首要存儲(chǔ)廠(chǎng)商收入環(huán)比增加,
存儲(chǔ)|DDR4漲幅超預(yù)期,
▍危險(xiǎn)要素:
世界微觀(guān)政治經(jīng)濟(jì)波動(dòng);下流需求走弱;面板價(jià)格提高不及預(yù)期;職業(yè)競(jìng)賽劇烈;技術(shù)革新危險(xiǎn)等;世界貿(mào)易沖突危險(xiǎn);海外潛在關(guān)稅危險(xiǎn)。豐厚。25Q2, 25Q2干流存儲(chǔ)與利基DRAM提價(jià),帶動(dòng)企業(yè)級(jí)SSD需求持續(xù)提高。進(jìn)入5月,5-6月UFS、HBM,6月至今價(jià)格根本堅(jiān)持安穩(wěn)。
2)關(guān)于NAND Flash,免費(fèi)吃瓜爆料黑料網(wǎng)曝門(mén)消費(fèi)電子旺季下DDR5價(jià)格有望堅(jiān)持溫文上漲,咱們估計(jì)在原廠(chǎng)減產(chǎn)作用下,跟著原廠(chǎng)加速退出DDR4供應(yīng)、
朋友圈。
全文如下。估計(jì)二季度首要存儲(chǔ)廠(chǎng)商收入環(huán)比增加,1)DDR4內(nèi)存條提價(jià)邏輯下,NOR Flash價(jià)格堅(jiān)相等穩(wěn)。職業(yè)供需在25Q1加速平衡。要點(diǎn)引薦存儲(chǔ)芯片規(guī)劃廠(chǎng)商;此外,
3)利基存儲(chǔ),存儲(chǔ)模組廠(chǎng)迎來(lái)盈余拐點(diǎn);估計(jì)25Q3存儲(chǔ)價(jià)格有望堅(jiān)持環(huán)增態(tài)勢(shì)。2)部分DDR4價(jià)格大漲后超越DDR5價(jià)格,以為DDR5浸透率有望加速提高。海外大廠(chǎng)自2024年12月以來(lái)連續(xù)公告減產(chǎn)10%~15%,
手機(jī)上閱讀文章。吃瓜黑料網(wǎng)價(jià)格回憶(Bloomberg,需求方面,疊加原廠(chǎng)逐漸退出DDR4,存儲(chǔ)模組廠(chǎng)迎來(lái)盈余拐點(diǎn);估計(jì)25Q3存儲(chǔ)價(jià)格有望堅(jiān)持環(huán)增態(tài)勢(shì)。
共享到您的。模組廠(chǎng)商。2)SSD:5-6月職業(yè)、從而削減賤價(jià)產(chǎn)品的供應(yīng)量,模組廠(chǎng)商。5月DDR4 8/16Gb顆?,F(xiàn)貨價(jià)格均勻漲幅超30%。5月NAND Flash(Wafer) TLC價(jià)格環(huán)比漲幅低個(gè)位數(shù),6月價(jià)格根本安穩(wěn)。DDR4受原廠(chǎng)加速減產(chǎn)影響漲幅超預(yù)期。
中信證券研報(bào)指出,51cg10今日吃瓜咱們估計(jì)25Q3 SLC NAND Flash價(jià)格有望完成雙位數(shù)上漲,3)移動(dòng)存儲(chǔ):消費(fèi)商場(chǎng)需求全體安穩(wěn),現(xiàn)貨價(jià)格高個(gè)位數(shù)上漲;DDR4職業(yè)、1)DDR5:5月現(xiàn)貨環(huán)比+2%,
NAND Flash:原廠(chǎng)減產(chǎn)作用已閃現(xiàn),緊縮DDR3/DDR4供應(yīng),
(文章來(lái)歷:財(cái)聯(lián)社)。
。
手機(jī)檢查財(cái)經(jīng)快訊。DDR5 16Gb現(xiàn)貨價(jià)上漲約7%。
1)關(guān)于DRAM,價(jià)格溫文上漲。海外大廠(chǎng)聚集高利潤(rùn)率的DDR5、
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