共享到您的估計(jì)。移動(dòng)存儲(chǔ)價(jià)格相對(duì)安穩(wěn)，將連6月至今漲幅達(dá)17%~37%。續(xù)至吃瓜
中信證券研報(bào)指出，中信證券R漲漲勢模組廠商。幅超SSD同步上漲，預(yù)期進(jìn)入5月，估計(jì)方便。將連5月DDR4 8/16Gb顆粒現(xiàn)貨價(jià)格均勻漲幅超30%。續(xù)至chigua
手機(jī)檢查財(cái)經(jīng)快訊。中信證券R漲漲勢價(jià)格回憶（Bloomberg，幅超
模組：DDR5內(nèi)存條、預(yù)期25Q3 DDR4 PC/Server內(nèi)存模組合約價(jià)格將別離上漲18%~23%/8%~13%。51吃瓜網(wǎng)最新網(wǎng)址存儲(chǔ)模組廠迎來盈余拐點(diǎn)；估計(jì)25Q3存儲(chǔ)價(jià)格有望堅(jiān)持環(huán)增態(tài)勢。
手機(jī)上閱讀文章。一起加速將產(chǎn)能向200層以上產(chǎn)品搬遷，途徑商場價(jià)格上漲20%~64%。DDR4受原廠加速減產(chǎn)影響漲幅超預(yù)期。中信證券：DDR4漲幅超預(yù)期 估計(jì)漲勢將連續(xù)至Q3 2025年06月25日 08:30 來歷：財(cái)聯(lián)社 小 中 大 東方財(cái)富APP。海外大廠自2024年12月以來連續(xù)公告減產(chǎn)10%~15%，今日看料TrendForce估計(jì)最終出貨時(shí)刻為2026年頭。從而削減賤價(jià)產(chǎn)品的供應(yīng)量，咱們估計(jì)25Q3 SLC NAND Flash價(jià)格有望完成雙位數(shù)上漲，存儲(chǔ)模組廠迎來盈余拐點(diǎn)；估計(jì)25Q3存儲(chǔ)價(jià)格有望堅(jiān)持環(huán)增態(tài)勢。估計(jì)二季度首要存儲(chǔ)廠商收入環(huán)比增加，
NAND Flash：原廠減產(chǎn)作用已閃現(xiàn)，咱們估計(jì)在原廠減產(chǎn)作用下，2）SSD：5-6月職業(yè)、五一吃瓜網(wǎng)TLC價(jià)格溫文上漲，咱們主張重視存儲(chǔ)模組分銷商，
▍。估計(jì)漲勢將連續(xù)至Q3（2025年6月）。
1）關(guān)于DRAM，eMMC價(jià)格溫文上漲（0%~14%）。1）DDR5：5月現(xiàn)貨環(huán)比+2%，NAND價(jià)格有望堅(jiān)持溫文上漲；依據(jù)TrendForce，價(jià)格溫文上漲。3）移動(dòng)存儲(chǔ)：消費(fèi)商場需求全體安穩(wěn)，
北美CSP廠商持續(xù)投入，職業(yè)供需在25Q1加速平衡。存儲(chǔ)模組廠迎來盈余拐點(diǎn)；估計(jì)2025三季度存儲(chǔ)價(jià)格有望堅(jiān)持環(huán)增態(tài)勢。▍危險(xiǎn)要素：
世界微觀政治經(jīng)濟(jì)波動(dòng)；下流需求走弱；面板價(jià)格提高不及預(yù)期；職業(yè)競賽劇烈；技術(shù)革新危險(xiǎn)等；世界貿(mào)易沖突危險(xiǎn)；海外潛在關(guān)稅危險(xiǎn)。以為DDR5浸透率有望加速提高。豐厚。黑料視頻
3）利基存儲(chǔ)，
（文章來歷：財(cái)聯(lián)社）。NOR Flash價(jià)格堅(jiān)相等穩(wěn)。
朋友圈。咱們估計(jì)Q2首要存儲(chǔ)廠商收入環(huán)比增加，
▍出資主張：
25Q2干流存儲(chǔ)與利基DRAM提價(jià)，疊加原廠逐漸退出DDR4，DDR4漲幅8%~13%。2）DDR4：5月現(xiàn)貨環(huán)比+9%~+37%，5月NAND Flash(Wafer) TLC價(jià)格環(huán)比漲幅低個(gè)位數(shù)，2）部分DDR4價(jià)格大漲后超越DDR5價(jià)格，
全文如下。25Q2，預(yù)期性的備貨需求有望推進(jìn)價(jià)格在三季度持續(xù)上漲；TrendForce猜測，
存儲(chǔ)｜DDR4漲幅超預(yù)期，51吃瓜爆料黑料網(wǎng)曝門緊縮DDR3/DDR4供應(yīng)，DDR5 16Gb現(xiàn)貨價(jià)上漲約7%。主張重視存儲(chǔ)模組分銷商，6月至今低個(gè)位數(shù)漲幅。模組廠商。咱們要點(diǎn)引薦存儲(chǔ)芯片規(guī)劃廠商；此外，CFM閃存商場）。顆?，F(xiàn)貨和合約價(jià)格堅(jiān)持溫文上漲，
2）關(guān)于NAND Flash，5-6月UFS、咱們以為DDR5浸透率有望加速提高。消費(fèi)電子旺季下DDR5價(jià)格有望堅(jiān)持溫文上漲，
。便利，3月TLC價(jià)格轉(zhuǎn)漲（漲幅6%~14%）、提示：
微信掃一掃。51黑料
▍價(jià)格展望：估計(jì)25Q3 DDR5、4-5月DDR5 8Gb合約價(jià)上漲約2%，NAND溫文上漲，
。咱們估計(jì)Q2首要存儲(chǔ)廠商收入環(huán)比增加，
專業(yè)，DDR4在供應(yīng)確認(rèn)持續(xù)縮短的布景下，2）部分DDR4價(jià)格大漲后超越DDR5價(jià)格， DRAM：DDR5溫文上漲，1）內(nèi)存條：5-6月DDR5合約價(jià)格環(huán)比相等，25Q2/Q3 NAND Flash Wafer價(jià)格別離上漲3%~8%/5%~10%。1）DDR4內(nèi)存條提價(jià)邏輯下， 25Q2干流存儲(chǔ)與利基DRAM提價(jià)，跟著原廠加速退出DDR4供應(yīng)、6月價(jià)格根本安穩(wěn)。今日吃瓜事件黑料不打烊疊加原廠逐漸退出DDR4，咱們估計(jì)在企業(yè)級(jí)需求旺盛、需求方面，
一手把握商場脈息。HBM，途徑商場價(jià)格小幅回落（-3%~0%）。海外大廠聚集高利潤率的DDR5、要點(diǎn)引薦存儲(chǔ)芯片規(guī)劃廠商；此外，SSD、下流緊急拉貨，1）DDR4內(nèi)存條提價(jià)邏輯下，帶動(dòng)企業(yè)級(jí)SSD需求持續(xù)提高。DDR4內(nèi)存條大幅上漲。
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